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Si1900DL
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
#
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
30
0.480 at V GS = 10 V
0.700 at V GS = 4.5 V
0.63
0.52
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
S 1
1
6
D 1
Marking Code
PB
XX
G 1
2
5
G 2
Lot Tracea b ility
and Date Code
D 2
3
4
S 2
Part # Code
Top V ie w
Orderin g Information: Si1900DL-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si1900DL-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
30
± 20
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
0.63
0.45
1.0
0.59
0.43
A
Continuous Source-Current (Diode Conduction) a
I S
0.25
0.23
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
0.30
0.16
0.27
0.14
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
360
400
300
415
460
350
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71251
S10-1054-Rev. F, 03-May-10
www.vishay.com
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